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工业 X光 在线 AXI 3D 平面 CT 检测设备
面向 PCB / IC / IGBT / TGV / BGA 气孔、空洞与结构缺陷的高精度三维检测
BGA 局部微米级放大
BGA 整体透视视图
内部气孔着色分析
TGV 通孔缺陷检测
IGBT 功率器件检测
锂电铜极耳翻折
锂电铝极耳开裂
SMT 焊点气孔分析
BGA 局部微米级放大
BGA 整体透视视图
内部气孔着色分析
TGV 通孔缺陷检测
IGBT 功率器件检测
锂电铜极耳翻折
锂电铝极耳开裂
SMT 焊点气孔分析
概述
骅飞 AXI 平面 CT 产品通过 360° 环形运动方式采集多角度投影数据，在扫描过程中同步完成三维重建计算，快速获得被测物的完整体数据。系统可根据检测需求生成任意 XY 方向断层图像，用于对电子器件内部结构与焊点状态进行非破坏性缺陷分析。
设备适用于 BGA / LGA、Press-fit Connector、Flip Chip、PoP、QFN、PTH、IGBT 等电子器件检测，可有效识别气孔、开路、桥连、枕头效应、润湿不良、缺件、错件等典型缺陷。
设备核心特点
全 3D 自动判定的 X-Ray 检测系统
任意层数切片，无需破坏电路板结构
分辨率可随元件与锡球尺寸灵活配置，像素精度最高约 5 μm
检测时间与图像清晰度可按需求平衡调节
完整三维体数据重建与缺陷分析能力
高速边扫描边重建技术，显著提升检测效率
最大 118° 大射线锥角，提升纵向分辨率表现
主要技术参数
| 类别 | 参数项 | 技术规格 |
|---|---|---|
| 基础规格 | 整机尺寸 | 2150 × 1420 × 1930 mm |
| 对接高度 | 900 ±20 mm | |
| 样品承重 | < 10 kg | |
| 净空要求 | Top: 60 mm；Bottom: 40 mm | |
| 检测对象 | 样品厚度 | 0.6 – 5 mm |
| 兼容尺寸 | 50 × 50 mm ～ 510 × 510 mm | |
| 缺陷类型 | 焊点气孔 / 缺件 / 错件 / 尺寸分析 | |
| X-Ray | 射线源 | 高精度封闭式射线源 |
| 管电压 | < 150 kV | |
| 泄露剂量 | < 0.5 μSv/h | |
| 成像系统 | 探测器类型 | CMOS 数字平板探测器 |
| 矩阵 / 像素 | 2340 × 2813 / 49.8 μm | |
| 性能 | 检测精度 | 最高约 5 μm |
| 3D 成像速度 | 最快约 2 s | |
| 工作模式 | 检测方式 | 在线 & 离线 |
| 读码追溯 | 支持 |
产品详情
工业 X光 在线 AXI 3D 平面 CT 检测设备
面向 PCB / IC / IGBT / TGV / BGA 气孔、空洞与结构缺陷的高精度三维检测
BGA 局部微米级放大
BGA 整体透视视图
内部气孔着色分析
TGV 通孔缺陷检测
IGBT 功率器件检测
锂电铜极耳翻折
锂电铝极耳开裂
SMT 焊点气孔分析
BGA 局部微米级放大
BGA 整体透视视图
内部气孔着色分析
TGV 通孔缺陷检测
IGBT 功率器件检测
锂电铜极耳翻折
锂电铝极耳开裂
SMT 焊点气孔分析
概述
骅飞 AXI 平面 CT 产品通过 360° 环形运动方式采集多角度投影数据，在扫描过程中同步完成三维重建计算，快速获得被测物的完整体数据。系统可根据检测需求生成任意 XY 方向断层图像，用于对电子器件内部结构与焊点状态进行非破坏性缺陷分析。
设备适用于 BGA / LGA、Press-fit Connector、Flip Chip、PoP、QFN、PTH、IGBT 等电子器件检测，可有效识别气孔、开路、桥连、枕头效应、润湿不良、缺件、错件等典型缺陷。
设备核心特点
全 3D 自动判定的 X-Ray 检测系统
任意层数切片，无需破坏电路板结构
分辨率可随元件与锡球尺寸灵活配置，像素精度最高约 5 μm
检测时间与图像清晰度可按需求平衡调节
完整三维体数据重建与缺陷分析能力
高速边扫描边重建技术，显著提升检测效率
最大 118° 大射线锥角，提升纵向分辨率表现
主要技术参数
| 类别 | 参数项 | 技术规格 |
|---|---|---|
| 基础规格 | 整机尺寸 | 2150 × 1420 × 1930 mm |
| 对接高度 | 900 ±20 mm | |
| 样品承重 | < 10 kg | |
| 净空要求 | Top: 60 mm；Bottom: 40 mm | |
| 检测对象 | 样品厚度 | 0.6 – 5 mm |
| 兼容尺寸 | 50 × 50 mm ～ 510 × 510 mm | |
| 缺陷类型 | 焊点气孔 / 缺件 / 错件 / 尺寸分析 | |
| X-Ray | 射线源 | 高精度封闭式射线源 |
| 管电压 | < 150 kV | |
| 泄露剂量 | < 0.5 μSv/h | |
| 成像系统 | 探测器类型 | CMOS 数字平板探测器 |
| 矩阵 / 像素 | 2340 × 2813 / 49.8 μm | |
| 性能 | 检测精度 | 最高约 5 μm |
| 3D 成像速度 | 最快约 2 s | |
| 工作模式 | 检测方式 | 在线 & 离线 |
| 读码追溯 | 支持 |
